Твердотельный накопитель Samsung MZ-V9P4T0BW
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- РџРѕРТвЂВВВВВВВВелРСвЂВВВВВВВВться
- Р Р‡.МессенРТвЂВВВВВВВВжер
- ВКонтакте
- РћРТвЂВВВВВВВВнокласснРСвЂВВВВВВВВРєРСвЂВВВВВВВВ
- Telegram
- Viber
- РњРѕР№ Р В Р’В Р РЋРЎв„ўР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВВВВВВРЎР‚
- РЎРєРѕРїРСвЂВВВВВВВВровать ссылку
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
Ощутите длительную и высокую производительность PCIe 4.0. Интеллектуальная система управления нагревом встроенного контроллера обеспечивает высочайшую энергоэффективность при сохранении скорости и производительности, что помогает вам оставаться на вершине игры
- Твердотельный накопитель Samsung NVMe на базе недавно разработанного контроллера собственной разработки
- Скорость последовательного чтения/записи до 7450/6900 МБ/с
- Энергоэффективный твердотельный накопитель, надежный термоконтроль
DRAM буфер | 1 |
Объём DRAM буфера (Мб) | 4096 |
Вес | 0.02 кг |
Производитель | Samsung Electronics |
Количество в упаковке (кратность) | 1 |
Объем в упаковке | 0.00029 м³ |
Габариты | 10 × 2 × 14.5 см |
Единица измерения | шт |
Штрих-код EAN128 | 8806094947205 |
Назначение | Клиентские ПК |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Тип памяти | V-NAND |
Интерфейс | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
Ёмкость накопителя (Гбайт) | 4000 |
Скорость последовательного чтения (Мбайт/c) | 7450 |
Скорость последовательной записи ( Мбайт/c) | 6900 |
Средняя наработка на отказ (ч) | 1500000 |
TBW твердотельного накопителя (Тбайт) | 2400 |
Модель | Samsung 990 PRO |