Твердотельный накопитель Samsung MZ-V9P4T0CW
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- РџРѕРТвЂВВВВВВВВелРСвЂВВВВВВВВться
- Р Р‡.МессенРТвЂВВВВВВВВжер
- ВКонтакте
- РћРТвЂВВВВВВВВнокласснРСвЂВВВВВВВВРєРСвЂВВВВВВВВ
- Telegram
- Viber
- РњРѕР№ Р В Р’В Р РЋРЎв„ўР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВВВВВВРЎР‚
- РЎРєРѕРїРСвЂВВВВВВВВровать ссылку
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
• Gen4 выходит на арену с улучшением случайной производительности более чем на 55% по сравнению с 980 PRO.
• Благодаря скорости чтения и записи до 7450/6900 МБ/с² вы достигнете почти максимальной производительности PCIe® 4.0³ при любом использовании.
• Выделите себе немного места с объемом памяти от 1 ТБ до 4 ТБ.
• Сверхтонкий встроенный радиатор отводит тепло от вашего устройства, обеспечивая непрерывную игру.
DRAM буфер | 1 |
Объём DRAM буфера (Мб) | 4096 |
Вес | 0.02 кг |
Производитель | Samsung Electronics |
Количество в упаковке (кратность) | 1 |
Объем в упаковке | 0.00028 м³ |
Габариты | 10 × 2 × 14 см |
Единица измерения | шт |
Штрих-код EAN128 | 8806094946857 |
Назначение | Клиентские ПК |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Тип памяти | V-NAND |
Интерфейс | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
Ёмкость накопителя (Гбайт) | 4000 |
Скорость последовательного чтения (Мбайт/c) | 7450 |
Скорость последовательной записи ( Мбайт/c) | 6900 |
Средняя наработка на отказ (ч) | 1500000 |
TBW твердотельного накопителя (Тбайт) | 2400 |
Кэш-память | 1000 |
Модель | Samsung 990 PRO |