Твердотельные накопители Samsung MZ-V9E1T0BW
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- РџРѕРТвЂВВВВВВВВелРСвЂВВВВВВВВться
- Р Р‡.МессенРТвЂВВВВВВВВжер
- ВКонтакте
- РћРТвЂВВВВВВВВнокласснРСвЂВВВВВВВВРєРСвЂВВВВВВВВ
- Telegram
- Viber
- РњРѕР№ Р В Р’В Р РЋРЎв„ўР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВВВВВВРЎР‚
- РЎРєРѕРїРСвЂВВВВВВВВровать ссылку
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.
В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO.
- Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с
- Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby
- Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы
| Вес | 0.02 кг |
| Производитель | Samsung Electronics |
| Количество в упаковке (кратность) | 1 |
| Объем в упаковке | 0.00028 м³ |
| Габариты | 10 × 2 × 14 см |
| Единица измерения | шт |
| Штрих-код EAN128 | 8806095300276 |
| Назначение | Клиентские ПК |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Тип памяти | V-NAND |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Ёмкость накопителя (Гбайт) | 1000 |
| Скорость последовательного чтения (Мбайт/c) | 5000 |
| Скорость последовательной записи ( Мбайт/c) | 4200 |
| Средняя наработка на отказ (ч) | 1500000 |
| TBW твердотельного накопителя (Тбайт) | 600 |
| Кэш-память | HMB |
